浅沟槽隔离 的英文是 Shallow Trench Isolation
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 trench 译成「沟道」。
浅沟槽隔离是在硅衬底上刻出浅沟槽、再填入二氧化硅等绝缘介质，把相邻晶体管的有源区在电学上隔开的工艺，缩写为 STI。它取代了早期的局部氧化隔离，占用面积更小、表面更平整，是深亚微米以后各代工艺的标准隔离方案。
浅沟槽隔离出现在前道工艺流程、工艺集成文件、化学机械抛光规范和器件漏电分析报告中。翻译时常与沟槽深度、填充介质、抛光后台阶高度等参数同时出现，缩写 STI 在工艺卡中通常不展开，译文应保持与原文一致的缩写用法。
常见错误是把 trench 译成「沟道」。「沟道」在器件物理里专指源漏之间的导电通道，写成「浅沟道隔离」会让读者误以为隔离发生在晶体管导电区内部。另一个问题是把 isolation 译成「绝缘」，丢掉了这道工艺在版图上划分有源区的作用。
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