化学机械抛光 的英文是 CMP
领域：半导体
常见误译：常见错误是只译成“抛光”，丢掉化学和全局平坦化这层意思。
CMP 是化学机械平坦化工艺，利用化学药液和机械研磨共同作用来整平晶圆表面。半导体文档中，它出现在平坦化工艺步骤、研磨液与研磨垫规格、CMP 设备手册和缺陷检测报告里，关注去除速率、均匀性和终点检测，因为这些会影响后续光刻和良率。
翻译中常见于工艺流程说明、设备报警信息、研磨液和研磨垫资料，也出现在缺陷与良率审查文档里。需要把 CMP 与普通抛光区分开，因为 CMP 强调化学和机械协同的全局平坦化，在质量报告和维护提示中尤其重要。
常见错误是只译成“抛光”，丢掉化学和全局平坦化这层意思。这样会把它误解成单纯的机械磨平，影响研磨液处理、终点控制和缺陷分析中对化学选择性与表面平整度的判断。
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