硅局部氧化 的英文是 Local Oxidation of Silicon
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 bird's beak 在同一份文件里时而写「鸟嘴」、时而写「鸟喙」或加注解释，读者会以为是两种不同的缺陷形貌，应选定一种并全文统一。
硅局部氧化是用氮化硅做掩蔽层、只在未被覆盖的区域生长厚氧化层来实现器件隔离的工艺，缩写为 LOCOS。氧化层会在掩蔽边缘横向延伸形成所谓的鸟嘴结构，侵占有源区面积，因此在更小线宽的工艺中逐步被浅沟槽隔离取代。
硅局部氧化出现在成熟制程和功率器件的工艺文件、老产线的工艺移转资料以及半导体教材与培训材料中。翻译老工艺文档时常与场氧、鸟嘴、氮化硅掩蔽等术语同时出现，需要与现行工艺中的浅沟槽隔离清楚区分。
常见错误是把 bird's beak 在同一份文件里时而写「鸟嘴」、时而写「鸟喙」或加注解释，读者会以为是两种不同的缺陷形貌，应选定一种并全文统一。另一个问题是把 LOCOS 当成泛指的「局部氧化」而漏掉它作为隔离工艺的含义，使工艺对比段落的逻辑断掉。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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