热氧化 的英文是 Thermal Oxidation
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 thermal oxidation 与化学气相沉积得到的氧化层混为一谈。
热氧化是在高温炉管中让硅与氧气或水汽反应、在晶圆表面生长二氧化硅层的工艺。按氧化剂不同分为干氧氧化和湿氧氧化：干氧生长慢但膜质致密，适合栅氧化层；湿氧生长快，适合较厚的场氧和掩蔽层。
热氧化出现在炉管工艺规程、设备配方、膜厚量测报告和工艺集成文件中。翻译时常伴随温度、时间、气体流量和目标膜厚等参数，干氧与湿氧的区分会直接影响工艺选择，译文里不能合并成笼统的「氧化」。
常见错误是把 thermal oxidation 与化学气相沉积得到的氧化层混为一谈。热氧化层是消耗衬底硅长出来的，沉积氧化层是外加上去的，两者的膜质和界面特性不同，混译会误导工艺判断。另一个问题是把 dry 与 wet 按日常词义译成「干燥」「潮湿」，看不出指的是氧化剂是纯氧还是水汽。
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