离子注入 的英文是 Ion Implantation
领域：半导体
常见误译：常见误译是写成“离子注入”以外的“离子喷洒”，或把注入与沉积、涂覆混为一谈。
离子注入是把电离的掺杂原子加速打入晶圆表面，改变选定区域电学特性的掺杂工艺。晶圆厂文档中，它出现于前段工艺规范、注入设备手册和配方管理体系，通常用元素种类、剂量、能量和倾角定义注入步骤及其对器件性能的影响。
该术语常见于离子注入工艺配方、设备界面和维护手册，也会出现在晶圆厂培训材料与安全内容中。翻译时需准确处理剂量单位、束流和元素名称，否则容易造成设备设置或安全上的错误。
常见误译是写成“离子注入”以外的“离子喷洒”，或把注入与沉积、涂覆混为一谈。离子注入改变的是晶圆表层导电性，而不是在表面覆盖一层材料，翻译不准确会导致配方解释和设备设置错误。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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