掺杂 的英文是 Doping
领域：半导体
常见误译：常见错误是把掺杂译成“添加杂质”，听起来像污染，而不是受控的工艺步骤。
掺杂是向半导体晶格中有控制地引入硼、磷、砷等杂质原子，以改变导电性、载流子浓度和晶体管特性的工艺。在制程文件中，它通常出现在前段流程、离子注入与扩散配方、器件工程规范和参数测试记录里，用来定义 n 型与 p 型区域。
掺杂出现在离子注入设备手册、工艺集成文件、技术认证报告和器件数据表的翻译中。相关表述包括掺杂剖面、掺杂激活、注入剂量和退火条件。翻译配方参数或安全数据表时，必须区分注入、扩散和激活等步骤。
常见错误是把掺杂译成“添加杂质”，听起来像污染，而不是受控的工艺步骤。把注入剂量和杂质浓度混为一谈，或不标注 n 型/p 型而只写一个统称，会丢失器件工程的关键信息，因为掺入元素和激活条件都不同。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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