极紫外光刻 的英文是 EUV
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 EUV 误写成“普通紫外光刻”或与深紫外光刻（DUV）混为一谈。
极紫外光刻是使用约 13.5 nm 波长的极紫外光在晶圆上印制精细电路图形的光刻方法。在半导体制造文档中，该词常见于制程节点说明、光刻设备手册、光掩模与光刻胶介绍、研发路线图以及单层成本分析，通常需要与波长更长的深紫外光刻及其他图形化方法区分。
“EUV”常见于光刻设备说明、工艺整合论文、晶圆厂扩产公告和先进制程技术资料。翻译时主要涉及设备安全须知、光学子系统描述、真空系统文档以及量测和套刻精度讨论，通常首次出现时写为“极紫外光刻”，后文保留 EUV，避免随意改成其他紫外波段。
常见错误是把 EUV 误写成“普通紫外光刻”或与深紫外光刻（DUV）混为一谈。这会抹掉波长和设备体系的关键差异，在工艺对比、投资分析和路线图文件中造成误导。另一个问题是面向非技术读者时只保留缩写、不加中文说明，或在全文缩写与全称混用不一致。
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