侧墙 的英文是 Spacer
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 spacer 按通用词义译成「间隔物」「垫片」，读者看不出这是栅极两侧的介质结构。
侧墙是在栅极两侧形成的介质结构，通常用氮化硅或氧化硅先整片沉积、再各向异性回刻而成。它在离子注入时遮挡栅极边缘，形成轻掺杂漏区与源漏区之间的偏移，并在硅化物工艺中把栅极与源漏隔开，防止短路。
侧墙出现在前道工艺流程、器件结构说明、离子注入条件和失效分析报告中。翻译时常与轻掺杂漏、回刻、侧墙宽度等参数一同出现，在自对准多重图形化的文档里，spacer 还指用于定义线条的牺牲侧墙，需要结合上下文确认。
常见错误是把 spacer 按通用词义译成「间隔物」「垫片」，读者看不出这是栅极两侧的介质结构。另一个问题是忽视语境差别：在多重图形化文件中它是转移图形的牺牲结构，照搬器件语境的解释会让工艺描述前后矛盾。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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