绝缘体上硅 的英文是 Silicon on Insulator
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 SOI 译成「硅上绝缘体」，把层次关系说反了：结构是硅在绝缘层之上，不是绝缘层在硅之上。
绝缘体上硅是在顶层硅与衬底之间夹一层埋氧化层的硅片结构，缩写为 SOI。埋层把器件与衬底隔开，可以降低寄生电容和漏电，抑制闩锁效应，常用于射频、低功耗和抗辐射器件；顶层硅极薄的版本称为全耗尽型绝缘体上硅。
绝缘体上硅出现在衬底材料规格书、工艺平台介绍、射频前端器件资料和晶圆采购合同中。翻译时常与埋氧化层、顶层硅厚度、全耗尽与部分耗尽等术语同时出现，规格书中的厚度与电阻率参数必须逐项核对。
常见错误是把 SOI 译成「硅上绝缘体」，把层次关系说反了：结构是硅在绝缘层之上，不是绝缘层在硅之上。另一个问题是把 buried oxide 译成「埋藏氧化物」之类的自造说法，行业通行的是「埋氧层」或「埋氧化层」。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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