闩锁效应 的英文是 Latch-up
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 latch-up 译成“锁存”或“闭锁”，与数字电路中的锁存功能混为一谈。
闩锁效应是 CMOS 电路中的一种失效机制，寄生双极晶体管在电源轨之间形成低阻抗通路，导致过大电流可能损坏器件或封装。在可靠性与设计指南文档中，该术语出现在测试规范、版图规则、保护环建议和失效分析报告里，涉及对电压或电流应力的抗扰能力，并防止破坏性过流。
在本地化项目中，latch-up 常出现在 ESD 与闩锁测试报告、可靠性认证文档、设计规则手册、I/O 单元文档以及汽车或工业元器件规格中。失效分析报告和应用笔记也会涉及，描述过压事件、电流注入或避免有害寄生通路的版图做法。
常见错误是把 latch-up 译成“锁存”或“闭锁”，与数字电路中的锁存功能混为一谈。闩锁效应是一种破坏性寄生状态，测试报告中若译成普通逻辑状态，会削弱可靠性失效的严重性，甚至掩盖版图重新设计的必要性。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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