等离子体增强化学气相沉积 的英文是 Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
领域:半导体
常见误译:常见错误是把 plasma 译成「血浆」或「电浆」。
等离子体增强化学气相沉积是借助射频等离子体激活反应气体、在较低温度下沉积薄膜的化学气相沉积方法,缩写为 PECVD。它常用于在已有金属层的晶圆上沉积氧化硅、氮化硅等介质,因为较低的工艺温度不会损伤前面已完成的结构。
等离子体增强化学气相沉积出现在后段介质沉积规程、设备配方、膜应力与膜厚报告以及钝化层工艺文件中。翻译时常与低压化学气相沉积、高密度等离子体沉积等方法对照出现,缩写 PECVD 在工艺卡里通常不展开。
常见错误是把 plasma 译成「血浆」或「电浆」。前者是医学用词,后者是台湾地区的叫法,在大陆客户的技术文件中应使用「等离子体」。另一个问题是把 enhanced 译成「强化」,写成「等离子体强化」,与行业通行名称不符,影响术语检索。
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