半导体

Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition等离子体增强化学气相沉积

等离子体增强化学气相沉积 的英文是 Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

领域:半导体

常见误译:常见错误是把 plasma 译成「血浆」或「电浆」。

等离子体增强化学气相沉积是借助射频等离子体激活反应气体、在较低温度下沉积薄膜的化学气相沉积方法,缩写为 PECVD。它常用于在已有金属层的晶圆上沉积氧化硅、氮化硅等介质,因为较低的工艺温度不会损伤前面已完成的结构。

这个术语出现在哪里

等离子体增强化学气相沉积出现在后段介质沉积规程、设备配方、膜应力与膜厚报告以及钝化层工艺文件中。翻译时常与低压化学气相沉积、高密度等离子体沉积等方法对照出现,缩写 PECVD 在工艺卡里通常不展开。

最常见的处理错误

常见错误是把 plasma 译成「血浆」或「电浆」。前者是医学用词,后者是台湾地区的叫法,在大陆客户的技术文件中应使用「等离子体」。另一个问题是把 enhanced 译成「强化」,写成「等离子体强化」,与行业通行名称不符,影响术语检索。

为什么一致性呈现至关重要

术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策,或削弱专利权利要求;同时,知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。

天使翻译在专家审校开始前,会将此类术语锁定至项目术语库,确保同一源术语在提交的所有文档中保持一致。

英文Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
简体中文等离子体增强化学气相沉积
领域半导体

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