原子层沉积 的英文是 Atomic Layer Deposition
领域：半导体
常见误译：常见误译是把 ALD 译为“原子沉积”，丢掉了“层”这一逐层生长机制；或用“原子级沉积”含糊其辞，听起来像普通的纳米级沉积。
原子层沉积通过交替脉冲前驱体并利用自限制表面反应，每次只生长一层原子，从而得到厚度可控的薄膜。先进半导体制程文档中，ALD 用于高深宽比结构和栅介质、衬垫层等高保形薄膜，强调亚纳米级厚度控制与均匀性。
该术语常见于工艺集成文档、ALD 设备手册和材料验证报告。翻译任务包括前驱体脉冲与吹扫步骤标签、循环次数字段、腔体温度设置和膜厚表，常出现在 ALD 与 CVD、PVD 对比的章节里。
常见误译是把 ALD 译为“原子沉积”，丢掉了“层”这一逐层生长机制；或用“原子级沉积”含糊其辞，听起来像普通的纳米级沉积。这样会削弱 ALD 与 CVD 的差异，在工艺控制说明中造成理解偏差。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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