干法刻蚀 的英文是 Dry Etch
领域：半导体
常见误译：最常见的错误是把 dry etch 与 plasma etch 当作同义词互换使用。
干法刻蚀是用等离子体或反应性气体去除晶圆表面材料的刻蚀方式，不使用液态腐蚀剂。它的各向异性好，能刻出接近垂直的侧壁，因而是先进节点图形转移的主力工艺，常按反应机理进一步分为反应离子刻蚀、电感耦合等离子体刻蚀等类型。
干法刻蚀出现在工艺规程、设备配方文件、刻蚀速率与选择比报告以及失效分析中。翻译时通常伴随气体配比、腔体压力、射频功率等参数表，这些参数名与单位必须原样保留，不能按中文习惯改写顺序。
最常见的错误是把 dry etch 与 plasma etch 当作同义词互换使用。等离子体刻蚀是干法刻蚀的一种，但干法刻蚀也包括不依赖等离子体的气相刻蚀，在工艺对比文件中混用会让读者无法判断所述工艺的实际类型。另一个问题是把 etch 统一译成「腐蚀」，掩盖了干法与湿法的本质差别。
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