湿法刻蚀 的英文是 Wet Etch
领域：半导体
常见误译：常见错误是把「各向同性」漏译或简化成「均匀」，导致读者看不出湿法刻蚀会产生侧向钻蚀这一关键特性。
湿法刻蚀是用液态化学腐蚀剂选择性去除晶圆表面材料的工艺。它的选择比高、对衬底损伤小、成本低，但多为各向同性，会产生侧向钻蚀，因此多用于去除牺牲层、清洗残留和对图形精度要求不高的步骤。
湿法刻蚀出现在工艺规程、化学品管理文件、废液处理规范和安全数据表相关材料中。翻译时常与腐蚀剂配方、温度、浸泡时间一同出现，化学品名称须用规范中文名并保留原文分子式，不能只译通用名。
常见错误是把「各向同性」漏译或简化成「均匀」，导致读者看不出湿法刻蚀会产生侧向钻蚀这一关键特性。另一个问题是把腐蚀剂的俗称直译，例如把 buffered oxide etch 处理成字面组合，而中文行业内有固定说法，译错会让工艺文件无法与现场用语对应。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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