大马士革工艺 的英文是 Damascene Process
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 damascene 意译成「镶嵌工艺」后又在同一份文件里混用「大马士革」，造成同一工艺出现两个名字。
大马士革工艺是先在介质层中刻出沟槽与通孔、再填充金属并用化学机械抛光去除多余部分的互连制造方法。由于铜难以用干法刻蚀成形，这种「先挖后填」的思路成为铜互连的标准工艺；同时形成通孔与沟槽的做法称为双大马士革。
大马士革工艺出现在后段制程集成方案、工艺规程、抛光与阻挡层规范以及良率分析报告中。翻译时常与阻挡层、种子层、电镀填充等步骤一同出现，步骤顺序不能调整，否则工艺描述在技术上就是错的。
常见错误是把 damascene 意译成「镶嵌工艺」后又在同一份文件里混用「大马士革」，造成同一工艺出现两个名字。另一个问题是把 dual damascene 译成「双重大马士革」，与行业通用的「双大马士革」不一致，影响检索与术语表比对。
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