互补金属氧化物半导体 的英文是 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor
领域：半导体
常见误译：常见错误是受消费电子语境影响，把 CMOS 一律理解成图像传感器，在工艺平台文件里写成「CMOS 传感器工艺」，把通用逻辑工艺说窄了。
互补金属氧化物半导体是把 N 型和 P 型金属氧化物半导体场效应晶体管成对组合的电路与工艺技术，缩写为 CMOS。两种晶体管在静态时总有一个截止，静态功耗很低，因此成为逻辑芯片、存储器控制电路和图像传感器的主流技术。
互补金属氧化物半导体出现在工艺平台介绍、芯片规格书、图像传感器资料和设计规则文件中。翻译时要注意它既可指工艺技术，也可指器件或传感器类型，例如 CMOS 图像传感器，同一文件内的用法需要根据上下文保持一致。
常见错误是受消费电子语境影响，把 CMOS 一律理解成图像传感器，在工艺平台文件里写成「CMOS 传感器工艺」，把通用逻辑工艺说窄了。另一个问题是把 complementary 译成「补充」，写成「补充型金属氧化物半导体」，与规范名称不符。
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