金属氧化物半导体场效应晶体管 的英文是 MOSFET
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 MOSFET 与 MOS 管、场效应管等说法在同一份文件里混用，读者无法判断是否指同一器件。
金属氧化物半导体场效应晶体管是通过栅极电压控制源漏之间沟道导电能力的晶体管，缩写为 MOSFET，按沟道载流子类型分为 N 型和 P 型。它是数字集成电路最基本的开关单元，也以分立器件的形式大量用于电源管理和功率变换。
金属氧化物半导体场效应晶体管出现在器件数据手册、工艺平台说明、电路设计文档和功率器件选型资料中。数据手册里常伴随阈值电压、导通电阻、击穿电压等参数表，参数符号和测试条件必须与原文逐项对应，不能按中文习惯重新排序。
常见错误是把 MOSFET 与 MOS 管、场效应管等说法在同一份文件里混用，读者无法判断是否指同一器件。另一个问题是把 on-resistance 译成「开启电阻」，行业通行的是「导通电阻」；把 drain 译成「排水极」这类字面译法更会直接闹笑话。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
天使翻译在专家审校开始前，会将此类术语锁定至项目术语库，确保同一源术语在提交的所有文档中保持一致。