晶圆切割 的英文是 Wafer Dicing
领域：半导体
常见误译：常见误译是把 wafer dicing 一律译成‘晶圆切割’，忽略了在广义分离步骤中标准术语‘singulation’（单片化）的用法。
晶圆切割是沿划片槽把已完成加工的晶圆分离成单颗裸片的工序，常用金刚石锯片、激光或等离子方式。它主要出现在封装组装流程、作业指导书和质量文件中，规定分离方法、崩边控制和切割道宽度。
晶圆切割出现在封装组装流程、划片设备手册、作业指导书和来料检验文件中。质量和良率报告里也会谈到芯片边缘损伤、崩边和切割道宽度变化，OSAT 和封测厂的本地化内容尤其常见，通常与芯片粘接、晶圆减薄等术语一起出现。
常见误译是把 wafer dicing 一律译成‘晶圆切割’，忽略了在广义分离步骤中标准术语‘singulation’（单片化）的用法。还有人把 dicing 等同于‘划片’；划片通常指先形成沟槽或断裂线，不一定完全分离，混用会改变工艺含义。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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