经时介电击穿 的英文是 Time-Dependent Dielectric Breakdown
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 TDDB 译成「时间相关介质击穿」「时变介电击穿」等多种说法混用，同一报告内前后不一会让评审人员以为是不同的试验项目。
经时介电击穿是介质层在低于瞬时击穿强度的电场下长期工作、缺陷逐渐积累而最终击穿的失效机理，缩写为 TDDB。它主要影响栅氧化层和后段互连之间的层间介质，是评估器件寿命的核心可靠性项目之一，通常用加速应力试验外推使用寿命。
经时介电击穿出现在晶圆级可靠性报告、工艺认证文件、失效分析报告和车规器件资格认证资料中。翻译时常与加速因子、威布尔分布、失效时间等统计术语同时出现，图表中的参数符号与置信水平表述必须与原文一致。
常见错误是把 TDDB 译成「时间相关介质击穿」「时变介电击穿」等多种说法混用，同一报告内前后不一会让评审人员以为是不同的试验项目。另一个问题是把 breakdown 译成「损坏」「崩溃」，弱化了它作为特定失效机理的专业含义。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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