热载流子注入 的英文是 Hot Carrier Injection
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 hot carrier 按字面译成「热载体」，丢掉了「载流子」这一器件物理的核心概念。
热载流子注入是晶体管沟道中的载流子在强电场下获得较高能量，部分越过势垒进入栅氧化层并在其中或界面处形成陷阱的现象，缩写为 HCI。它会使阈值电压漂移、驱动电流下降，是晶体管长期退化的主要机理之一，需要通过应力试验评估。
热载流子注入出现在器件可靠性报告、工艺认证文件、器件模型文档和失效分析报告中。翻译时常与偏置温度不稳定性、经时介电击穿等可靠性项目并列出现，应力条件、退化百分比和寿命外推方法必须逐项准确。
常见错误是把 hot carrier 按字面译成「热载体」，丢掉了「载流子」这一器件物理的核心概念。另一个问题是把 injection 与离子注入混淆，把这一可靠性退化现象误写成一道工艺步骤，读者会完全看错文件的性质。
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