低介电常数介质 的英文是 Low-k Dielectric
领域：半导体
常见误译：最常见的错误是把 low-k 直译成「低 K」并大写字母，而规范写法是小写斜体 k。
低介电常数介质是介电常数低于二氧化硅的层间绝缘材料，用于降低互连线之间的寄生电容，从而减小 RC 延迟和串扰。常见实现方式是在氧化硅中引入碳或造孔，但介电常数越低，材料的机械强度与工艺兼容性通常越差。
低介电常数介质出现在后段制程集成方案、材料规格书、可靠性评估和封装应力分析文件中。翻译时常与 k 值、孔隙率、杨氏模量等参数同现，k 值符号须保留原文字母，不要改写成中文「介电常数值」再附数字。
最常见的错误是把 low-k 直译成「低 K」并大写字母，而规范写法是小写斜体 k。另一个问题是把它与 high-k 材料的应用位置搞混：低介电常数介质用于互连层间，高介电常数材料用于栅极绝缘层，两者位置与目的完全相反，译文若不带上下文限定会误导读者。
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