氮化镓 的英文是 Gallium Nitride
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 GaN 按读音或字面写成「镓氮」，或在同一份资料里交替使用「氮化镓」和 GaN 却不给出对应关系。
氮化镓是由镓和氮组成的宽禁带化合物半导体，化学式 GaN。它的电子迁移率和击穿电场高，适合制作高频、高效率的功率与射频器件，常见于快速充电器、基站射频功放和发光二极管；多数器件是在硅、碳化硅或蓝宝石衬底上外延生长的。
氮化镓出现在功率与射频器件数据手册、外延片规格书、应用笔记和产品宣传资料中。翻译时常与高电子迁移率晶体管、异质外延、衬底类型等术语同时出现，器件结构的缩写如 HEMT 在数据手册中应保留原文。
常见错误是把 GaN 按读音或字面写成「镓氮」，或在同一份资料里交替使用「氮化镓」和 GaN 却不给出对应关系。另一个问题是把 GaN-on-Si 译成「硅上的氮化镓芯片」之类的描述句，行业里通行的简洁说法是「硅基氮化镓」。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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