氮化镓 的英文是 Gallium Nitride
领域：半导体
常见误译：常见错误是把 GaN 按读音或字面写成「镓氮」，或在同一份资料里交替使用「氮化镓」和 GaN 却不给出对应关系。
氮化镓是由镓和氮组成的宽禁带化合物半导体，化学式 GaN。它的电子迁移率和击穿电场高，适合制作高频、高效率的功率与射频器件，常见于快速充电器、基站射频功放和发光二极管；多数器件是在硅、碳化硅或蓝宝石衬底上外延生长的。
氮化镓出现在功率与射频器件数据手册、外延片规格书、应用笔记和产品宣传资料中。翻译时常与高电子迁移率晶体管、异质外延、衬底类型等术语同时出现，器件结构的缩写如 HEMT 在数据手册中应保留原文。
常见错误是把 GaN 按读音或字面写成「镓氮」，或在同一份资料里交替使用「氮化镓」和 GaN 却不给出对应关系。另一个问题是把 GaN-on-Si 译成「硅上的氮化镓芯片」之类的描述句，行业里通行的简洁说法是「硅基氮化镓」。
术语必须在数据手册、设计套件和专利申请中保持一致。任何一个参数不一致都可能传导至制造决策，或削弱专利权利要求；同时，知识产权保密要求适用于整个链条中的每一份文件。
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先结合读者、文件用途和客户术语表确认。图表、器件标识和正文应保持可对应关系，不能将所有缩写都改写为中文，也不能只列缩写而没有必要的释义。
可以列在同一目录，分别标明文件用途、型号、版本、待译部分和语向。对外参数与内部设计目标分开确认，避免沿用不适用的数值或结论。
先发目录及含参数表或图示的代表性样稿，注明语向、用途、版本与希望日期。下方LTE案例属于相关技术规范项目，不代表氮化镓器件专项实绩；具体范围按本次文件评估。
术语释义与指南供项目沟通参考；具体用词、适用要求和交付范围需结合文件用途确认。
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